型號: | 2SD1701L |
廠商: | NEC Corp. |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 70V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|達林頓|叩| 70V的五(巴西)總裁| 800mA的一(c)|至92 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 117K |
代理商: | 2SD1701L |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SD17050P | 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 10A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD17070P | 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 20A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD1717 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS. TRANS. TOP-3L 160V 12A 120W BCE |