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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1669-S |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 12 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220ML, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | 2SD1669-S |
2SB1136 / 2SD1669
No.2092-3/4
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
A S O
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
A S O
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
--1.0
5
7
2
3
5
7
2
3
2
3
--10
--0.1
--10
--1.0
25
53
77
2
5
37 --100
ICP= --15V
10ms
100ms
DC
operation
100ms
1ms
IC= --12V
ITR09001
1ms to 100ms : Single pulse
1.0
5
7
2
3
5
7
2
3
2
3
10
0.1
10
1.0
72
5
37
25
53
7
100
DC
operation
ICP=15V
1ms
IC=12V
ITR09002
2SD1669
--10
--0.1
27
35
27
35
27
35
2
--1.0
5
3
2
5
3
2
--1.0
5
3
2
--10
--0.1
I C
/ I B
=10
I C
/ I B
=20
ITR08999
ITR09000
10
0.1
23
7
5
23
7
5
23
7
52
1.0
5
2
3
5
2
3
1.0
5
2
3
10
0.1
0.01
I C
/ I B
=10
I C
/ I B
=20
2SB1136
ITR08997
100
5
3
2
5
7
3
2
5
7
3
2
10
100
5
7
3
2
1000
5
7
3
2
5
7
3
2
10
0.1
3
25
3
25
0.01
3
25
2
1.0
10
--1.0
3
25
3
25
2
--10
--0.1
3
25
ITR08998
2SB1136
VCE= --2V
2SD1669
VCE=2V
2SB1136
VCE= --2V
ITR08995
2SD1669
VCE=2V
ITR08996
--16
--12
--14
--10
--8
--6
--4
--2
0
16
12
14
10
8
6
4
2
0
0--0.8
--1.4
--0.4
--1.2
--0.6
--0.2
--1.0
0
0.8
1.4
0.4
1.2
0.6
0.2
1.0
1ms to 100ms : Single pulse
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2SD1683S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1683T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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