參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1669-S
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 12 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220ML, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 49K
代理商： 2SD1669-S
2SB1136 / 2SD1669
No.2092-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)1A
70*
280*
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)5A
30
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
10
MHz
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)6A, IB=(--)0.6A
(--)0.4
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)1mA, IE=0A
(--)60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)1mA, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(0.2)0.1
s
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(0.4)1.2
s
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(0.1)0.05
s
* : The 2SB1136 / 2SD1669 are classified by 1A hFE as follows :
Rank
Q
R
S
hFE
70 to 140
100 to 200
140 to 280
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7508-002
10.0
3.2
4.5
2.8
16.0
18.1
5.6
14.0
3.5
7.2
2.4
1.6
1.2
0.7
0.75
2.55
12
3
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220ML
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
--16
--12
--14
--10
--8
--6
--4
--2
2SB1136
2SD1669
IB=0mA
20mA
40mA
60mA
80mA
100mA
200mA
400mA
600mA
ITR08994
0
0--0.8
--1.4
--0.4
--1.2
--0.6
--0.2
--1.0
--20mA
--80mA
--60mA
--40mA
--100mA
--200mA
--400mA
--600mA
--800mA
--1A
1A
IB=0mA
ITR08993
16
12
14
10
8
6
4
2
0
0.8
1.4
0.4
1.2
0.6
0.2
1.0
PW=20
s
tr, tf ≤15ns
VR
100
RB
1
VCC=20V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
4
100
F
470
F
IB1
IB2
IC=10IB1= --10IB2=2A
For PNP, the polarity is reversed.
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PDF描述
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2SD1683S 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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