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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1666 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | LOW FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS |
| 中文描述： | 低頻通用放大器應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 30K |
| 代理商： | 2SD1666 |
2SB1133 / 2SD1666
No.3031-2/4
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Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
typ
(40)8
(110)60
(--)0.6
(--)0.7
Unit
min
max
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)0.5A
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)2A, IB=(--)0.2A
VCE=(--)5V, IC=(--)0.5A
IC=(--)1mA, IE=0
IC=(--)5mA, RBE=
∞
IE=(--)1mA, IC=0
MHz
pF
V
V
V
V
V
Cob
VCE(sat)
VBE
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
(--)1
(--)1
(--)60
(--)60
(--)6
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
IC -- VCE
--40mA
0
--1
Collector to Emitter Voltage, VCE -- V
--2
--3
--4
--6
--5
0
--1.6
--1.2
--0.8
--0.4
--2.0
--2.6
--3.2
--2.8
--3.6
IC -- VBE(on)
IB=0
--20mA
--25mA
--10mA
--15mA
--5mA
--30mA
--35mA
0
--0.2
Base to Emitter On Voltage, VBE(on) -- V
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
2SB1133
VCE= --5V
-0A
-4mA
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
IC -- VCE
40mA
0
1.0
Collector to Emitter Voltage, VCE -- V
2.0
3.0
4.0
6.0
5.0
IB=0
20mA
25mA
10mA
15mA
5mA
30mA
35mA
5m
4mA
0
1.6
1.2
0.8
0.4
2.0
2.6
3.2
2.8
3.6
IC -- VBE(on)
0
0.2
Base to Emitter On Voltage, VBE(on) -- V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
2SD1666
VCE=5V
T1
°
C
2
°
C
-
°
C
T1
°
C
2
°
C
-
°
C
--0.01
2
3
5
7
2
3
5
2
3
5
7
7
--0.1
--1.0
100
5
2
3
5
7
3
hFE -- IC
0.01
2
3
5
5
0.1
2
3
5
2
3
5
1.0
100
5
2
3
3
5
hFE -- IC
Ta=120
°
C
25
°
C
--40
°
C
Ta=120
°
C
25
°
C
--40
°
C
2SD1666
VCE=5V
2SB1133
VCE= --5V
C
C
C
C
Collector Current, IC -- A
D
Collector Current, IC -- A
D
IT03736
IT03738
IT03737
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