參數(shù)資料
型號: 2SD1630M
廠商: NEC Corp.
英文描述: Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis
中文描述: 晶體管|晶體管|達林頓|叩| 70V的五(巴西)總裁| 1A條一(c)|至126
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大小: 125K
代理商: 2SD1630M
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1664 Medium Power Transistor(中等功率晶體管)
2SD1858 Medium Power Transistor (32V, 1A)
2SD1664P Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis
2SD1664Q TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62
2SD1664R Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1631(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans Darlington NPN 30V 1.5A 3-Pin MSTM Bulk
2SD1632RL 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD16330P 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 5A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD16400Q 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD16400R 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR