參數(shù)資料
型號： 2SD1664Q
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 32V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|律師- 62
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 118K
代理商： 2SD1664Q
(96-207-D12)
External dimensions (Units: mm)
249
Transistors
Medium Power Transistor (32V, 1A)
2SD1664 / 2SD1858
Features
1) Low V
CE(sat)
, V
CE(sat)
= 0.15V (typical).
(I
C
/I
B
= 500mA/50mA)
2) Complements the
2SB1132 / 2SB1237.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
Absolute maximum ratings (Ta = 25 C)
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SD1664T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1664T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1664T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1666 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO220ML60V 3A 20W BCE
2SD1667 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO220ML60V 5A 20W BCE
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