型號: | 2SD1630L |
廠商: | NEC Corp. |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 70V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|達(dá)林頓|叩| 70V的五(巴西)總裁| 1A條一(c)|至126 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 125K |
代理商: | 2SD1630L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SD1630M | Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis |
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2SD1858 | Medium Power Transistor (32V, 1A) |
2SD1664P | Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis |
2SD1664Q | TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SD1630-L(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SD1631(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans Darlington NPN 30V 1.5A 3-Pin MSTM Bulk |
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2SD16330P | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 5A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD16400Q | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |