參數(shù)資料
型號： 2SD1630
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR
中文描述： NPN硅達(dá)林頓功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 125K
代理商： 2SD1630
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1630K Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis
2SD1630L TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 70V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126
2SD1630M Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis
2SD1664 Medium Power Transistor(中等功率晶體管)
2SD1858 Medium Power Transistor (32V, 1A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1630-AZ-K 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk
2SD1630-L(AZ) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SD1631(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans Darlington NPN 30V 1.5A 3-Pin MSTM Bulk
2SD1632RL 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD16330P 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 5A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*