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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1511GS |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | 2SD1511GS |
2SD1511G
2
SJD00341AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
VBE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
0
200
160
40
120
80
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Copper plate at the collector
is more than 1 cm2 in area,
1.7 mm in thickness
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
Ambient temperature T
a (°C)
010
8
26
4
0
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
Ta
= 25°C
IB
= 200 A
40
A
60
A
80
A
180
A
160
A
140
A
120
A
100
A
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 1000
25
°C
75
°C
Ta
= 25°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 1000
Ta
= 25°C
25
°C
75
°C
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
0.01
0.1
1
10
100
1 000
10000
100000
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
1
10
100
0
30
25
20
15
10
5
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SD1520S | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SD1520S | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SD1525(F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 100V VCE 5V Ic 30A hFE 1000 min RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1526 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1527(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD1531 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS.TRANS. TO-126B 50V 2A 1.2W ECB |
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