參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1272
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type(For high-speed switching and high current amplification ratio)
中文描述： 2.5 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 45K
代理商： 2SD1272
2
Power Transistors
2SD1272
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
Area of safe operation (ASO)
R
th(t)
— t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
50
40
30
20
10
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) With a 50
×
50
×
2mm
Al heat sink
(4) Without heat sink
(P
C
=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
T
C
=25C
I
B
=400
μ
A
350
μ
A
300
μ
A
250
μ
A
200
μ
A
150
μ
A
100
μ
A
50
μ
A
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.01
3
1
0.1
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C
/I
B
=25
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
0.01
3
1
0.1
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C
/I
B
=25
25C
–25C
T
C
=100C
B
B
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE
=4V
T
C
=100C
25C
–25C
F
F
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
=4V
f=10MHz
T
C
=25C
T
T
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
10ms
t=1ms
DC
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
10
–2
10
–1
1
10
10
2
(1)
(2)
(1) Without heat sink
(2) With a 100
×
100
×
2mm Al heat sink
Time t (s)
T
t
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1273 Silicon NPN triple diffusion planar type
2SD1273A Silicon NPN triple diffusion planar type
2SD1274 Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)
2SD1274A Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)
2SD1274B Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD12720P 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 1A TO-220F RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SD1272P 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-186
2SD1272Q 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-186
2SD1273 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220FA 80V 3A 40W BCE
2SD12732SD1273A 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:2SD1273 2SD1273A - Power Transistor
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