參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1209K
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial, Darlington
中文描述： npn型硅外延，達(dá)林頓
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 31K
代理商： 2SD1209K
0.60 Max
0.5
±
0.1
4.8
±
0.3
3.8
±
0.3
8
±
0
2
1
0.5
1.27
2.54
0.65
±
0.1
0.75 Max
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Weight
(reference value)
TO-92 Mod
—
Conforms
0.35 g
Unit: mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1225 2SD1225
2SD1226 Medium Power Amp. Epitaxial Planar NPN Silicon Transistors
2SD1859 Medium Power Amp. Epitaxial Planar NPN Silicon Transistors
2SD1226M Medium Power Amp. Epitaxial Planar NPN Silicon Transistors
2SD1859 MEDIUM POWER TRANSISTOR(-80V, -0.7A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SD1210 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR
2SD1211 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD12110R 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SD12110S 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
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