參數(shù)資料
型號： 2SD1209K
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial, Darlington
中文描述： npn型硅外延，達林頓
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 31K
代理商： 2SD1209K
2SD1209(K)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
i
C(peak)
P
C
Tj
60
V
Collector to emitter voltage
60
V
Emitter to base voltage
7
V
Collector current
1
A
Collector peak current
2
A
Collector power dissipation
0.9
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
60
—
—
V
I
C
= 0.1 mA, I
E
= 0
Collector cutoff current
I
CEO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
—
—
100
μ
A
μ
A
V
CE
= 60 V, R
BE
=
∞
V
EB
= 7 V, I
C
= 0
V
CE
= 3 V, I
C
= 0.5 A*
1
I
C
= 500 mA, I
B
= 0.5 mA*
1
Emitter cutoff current
—
—
100
DC current transfer ratio
4000
—
—
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
1.5
V
Base to emitter saturation
voltage
Note:
1. Pulse test
V
BE(sat)
—
—
2.0
V
I
C
= 500 mA, I
B
= 0.5 mA*
1
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PDF描述
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