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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1160 |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 182K |
| 代理商： | 2SD1160 |
2SD1160
2006-11-21
4
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Ambient temperature Ta (°C)
PC – Ta
C
ollec
tor
p
o
w
er
dis
si
pati
on
P
C
(W
)
1.2
0
20
40
60
80
100
120
160
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
140
0
1
0.01
10
20
40
50
70
30
60
0.5
Operating conditions used for a
test circuit shown in Figure 1
must not exceed this shaded
area.
Tc = 25°C
Figure 1
Safe Operating Area Test Circuit
2 ms
3 ms
INPUT
10 V
VCC
330
T.U.T
L = 10 mH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1160 | 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1163A | 7 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1163 | 7 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1164-Z-T1K | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1164-Z-T1L | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1160_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| 2SD1160O | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA |
| 2SD1160Y | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA |
| 2SD1160-Y(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SD1161 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23 |
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