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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1136 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 32K |
| 代理商： | 2SD1136 |
2SD1136
3
0
50
100
150
200
Case temperature T
C
(
°
C)
C
Maximum Collector Dissipation Curve
40
30
20
10
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
0
C
C
Area of Safe Operation
100
200
10
10
0.1 mA
(80 V, 15 A)
f = 15.75 kHz
T
C
= 25
°
C
For picture
tube arcing
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Typical Output Characteristics
2
4
6
8
10
1
2
3
4
5
T
C
= 25
°
C
I
B
= 0
P
C
=30W
0.08 A
0.02 A
0.04 A
0.06 A
0.12 A
0.14 A
10
0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
20
50
100
200
500
1,000
Collector current I
C
(A)
D
F
0.5 1.0
2
5
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
V
CE
= 5 V
T
C
= 75
°
C
25
–25
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1137 | Silicon NPN Triple Diffused |
| 2SD1137 | Power Bipolar Transistors |
| 2SD1138 | Silicon NPN Triple Diffused |
| 2SD1138 | Power Bipolar Transistors |
| 2SD1141 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1137 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power Bipolar Transistors |
| 2SD1137(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD1138 | 制造商:MISCELLANEOUS 功能描述: |
| 2SD1138B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB |
| 2SD1138C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB |
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