參數(shù)資料
型號(hào): 2SD1047E
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 12 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, TO-3PB, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大?。?/td> 85K
代理商: 2SD1047E
2SB817/2SD1047
No.680–4/5
10
100
25
37
57
2
A S O
0.1
1.0
5
7
3
2
10
5
7
3
2
ITR08433
10ms
100ms
1ms
DC
operation
2SB817 / 2SD1047
(For PNP, minus sign is omitted.)
IC=12A
ICP=15A
5
--1.0
--10
5
2
3
5
7
2
3
7
--1.0
--0.1
23
5
7
--10
23
5
7
VBE(sat) -- IC
ITR08431
2SB817
IC / IB=10
5
1.0
10
5
2
3
5
7
2
3
7
1.0
0.1
23
5
7
10
23
5
7
VBE(sat) -- IC
ITR08432
2SD1047
IC / IB=10
PC -- Tc
ITR08434
020
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
2SB817 / 2SD1047
Collector Current, IC —A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
Collector Current, IC —A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector
Dissipation,
P
C
—W
Case Temperature, Tc —
°C
VCE(sat) -- IC
ITR08429
5
--0.1
--1.0
5
7
2
3
7
--10
5
7
2
3
2
3
--1.0
--0.1
23
5
7
--10
23
5
7
2SB817
IC / IB=10
VCE(sat) -- IC
ITR08430
5
0.1
1.0
5
7
2
3
7
10
5
7
2
3
2
3
1.0
0.1
23
5
7
10
23
5
7
2SD1047
IC / IB=10
Collector Current, IC —A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Collector Current, IC —A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1047D 12 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB817PE 12 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB824L-Q-T60-K 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
2SB824G-R-T60-K 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
2SB824L-R-AB3-R 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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