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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD0966 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | For Low-Frequency Amplification |
| 中文描述： | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SC-51, TO-92L-A1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | 2SD0966 |
Transistors
2SD0966
(2SD966)
Silicon NPN epitaxial planar type
1
Publication date: April 2003
SJC00201BED
For low-frequency amplification
For stroboscope
■
Features
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
Satisfactory operation performances at high efficiency with the low-
voltage power supply.
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
40
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
20
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
7
V
Collector current
5
A
Peak collector current
I
CP
8
A
Collector power dissipation
P
C
T
j
1
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
EBO
I
C
=
1 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CB
=
10 V, I
E
=
0
V
EB
=
7 V, I
C
=
0
V
CE
= 2 V, I
C
= 0.5 A
20
V
Emitter-base voltage (Collector open)
7
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
0.1
μ
A
μ
A
Emitter-base cutoff current (Collector open)
Forward current transfer ratio
*1
I
EBO
h
FE1 *2
0.1
180
600
h
FE
V
CE
= 2 V, I
C
= 2 A
I
C
=
3 A, I
B
=
0.1 A
V
CB
=
6 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
20 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
150
Collector-emitter saturation voltage
*1
V
CE(sat)
f
T
C
ob
1
V
Transition frequency
150
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
50
pF
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
5.9
±
0.2
0.7
±
0.1
4.9
±
0.2
8
±
0
0
+
–
1
±
0
2.54
±
0.15
(
(1.27)
(1.27)
0.45
+0.2
0.45
+0.2
1
3
2
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
EIAJ : SC-51
TO-92L-A1 Package
Rank
P
Q
R
h
FE1
180 to 270
230 to 380
340 to 600
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*1: Pulse measurement
*2: Rank classification
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD966 | For Low-Frequency Amplification |
| 2SD0968A | For Low-Frequency Driver Amplification |
| 2SD0973A | For Low-Frequency Driver Amplification |
| 2SD1009 | 2SD1009 |
| 2SD1010 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SD09660Q | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 5A TO-92L RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD09660R | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 5A TO-92L RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD0966Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-51 |
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