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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD0602A-R |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 584K |
| 代理商： | 2SD0602A-R |
2SC5851
Rev.1.00 Aug 10, 2005 page 4 of 6
Collector Current
IC (mA)
500
0.1
VCE = 6 V
Noise Figure vs.
Signal Source Resistance
Signal Source Resistance Rg ()
Noise
Figure
NF
(dB)
10
12
VCE = 6 V
IC = 1 mA
f = 100 MHz
10
8
4
2
0
6
20
50
100
200
500 1000
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(MHz)
400
300
200
100
0
0.3
1.0
3
10
30
Gain Bandwidth Product vs.
Collector to Emitter Voltage
VCE (V)
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(MHz)
IC = 1 mA
12
5
20
400
300
200
100
0
Input/Output Admittance vs.
Collector to Emitter Voltage
Percentage
of
Relative
to
V
CE
=
6
V
(%)
Collector to Emitter Voltage
VCE (V)
12
5
10
20
50
500
200
100
50
20
10
IC = 1 mA
f = 100 MHz
goe
boe
bie
gie
bie
boe
goe
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
1
500
bre
VCE = 6 V
f = 100 MHz
boe
bie
gie
goe
gie
bie
boe
500
200
10
20
50
100
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
Collector Current
IC (mA)
Input/Output Admittance vs.
Collector Current
Percentage
of
Relative
to
I
C
=
1
mA
(%)
Transfer Admittance vs.
Collector to Emitter Voltage
IC = 1 mA
f = 100 MHz
200
100
50
20
10
2
5
10
20
50
Percentage
of
Relative
to
V
CE
=
6
V
(%)
gfe
bfe
gfe
bre
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD0602AS | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SD602S | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SD602R | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SD0602AQ | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SD0637Q | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD0602ARL | 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD0602AS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AB |
| 2SD0602ASL | 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD0602Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AB |
| 2SD0602R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AB |
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