參數(shù)資料
型號(hào): 2SD0602A-R
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大小: 584K
代理商: 2SD0602A-R
2SD0602A
2
Ver. DED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
0
40
80
120
160
0
80
160
240
2SD0602_ PC-Ta
Collector
power
dissipation
P C
(mW
)
Ambient temperature Ta (°C)
2SD0602_ IC-VCE
Collector
current
I C
(mA
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
16
20
8
12
4
0
800
600
200
500
700
400
100
300
IB = 10 mA
9 mA
8 mA
1 mA
2 mA
3 mA
4 mA
5 mA
6 mA
7 mA
Ta = 25°C
0
8
4
0
200
600
800
400
2SD0602_
IC-IB
Collector
current
I C
(mA
)
Base current IB (mA)
VCE = 10 V
Ta = 25°C
2SD0602_ VCE(sat)-IC
Collector
-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current IC (A)
101
1
10
102
101
102
10
1
102
IC / IB = 10
Ta = 75°C
25°C
2SD0602_ VBE(sat)-IC
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
Collector current IC (A)
102
101
1
10
102
101
102
10
1
IC / IB = 10
Ta = 25°C
25°C
75°C
2SD0602_
hFE-IC
Forward
current
transfer
ratio
h FE
Collector current IC (A)
0
300
250
200
150
100
50
Ta = 75°C
25°C
25°C
1
10
VCE = 10 V
102
101
2SD0602_
fT-IE
Tr
ansition
frequency
f T
(MHz)
Emitter current IE (mA)
1
10
100
0
240
200
160
120
80
40
VCB = 10 V
Ta = 25°C
2SD0602_
Cob-VCB
Collector-base voltage VCB (V)
0
12
10
8
6
4
2
1
10
102
IE = 0
f = 1 MHz
Ta = 25°C
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF
)
1
10
103
102
0
40
80
120
2SD0602_
VCER-RBE
Base-emitter resistance RBE (k)
IC = 2 mA
Ta = 25°C
Collector
-emitter
voltage
(Resistor
between
B
and
E)
V
CER
(V)
PC Ta
IC VCE
IC IB
VCE(sat) IC
VBE(sat) IC
hFE IC
fT IE
Cob VCB
VCER RBE
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
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PDF描述
2SD0602AS 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SD602S 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SD602R 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SD0602AQ 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SD0637Q 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2SD0602ARL 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD0602AS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AB
2SD0602ASL 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD0602Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AB
2SD0602R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AB