參數(shù)資料
型號： 2SCR512PT100
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MPT3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 237K
代理商： 2SCR512PT100
3/4
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.12 - Rev.A
Data Sheet
2SCR512P
Electrical characteristic curves
I
:
T
N
E
R
U
C
R
O
T
C
E
L
O
C
]
A
m[
COLLECTOR - BASE VOLTAGE : VCB [V]
EMITTER - BASE VOLTAGE : VEB [V]
)
F
p(
bi
C
:
E
C
N
A
TI
C
A
P
A
C
T
U
P
NI
R
E
T
TI
M
E
)
F
p(
b
o
C
:
E
C
N
A
TI
C
A
P
A
C
T
U
P
T
U
O
R
O
T
C
E
L
O
C
Fig.7 Emitter Input Capacitance vs.
Emitter-Base Voltage
Collector Output Capacitance vs.
Collector-Base Voltage
COLLECTOR CURRENT : IC[mA]
V
:
E
G
A
T
L
O
V
N
OI
T
A
R
U
T
A
S
R
O
T
C
E
L
O
C
E
C
]
V[)
t
as
(
COLLECTOR CURRENT : IC[mA]
:
E
G
A
T
L
O
V
N
OI
T
A
R
U
T
A
S
R
O
T
C
E
L
O
CV
CE
)[V]t
a
s(
E
F
h
:
NI
A
G
T
N
E
R
U
C
D
E
F
h
:
NI
A
G
T
N
E
R
U
C
D
EMITTER CURRENT : IE[mA]
fT
[MHz]
:
Y
C
N
E
U
Q
E
R
F
N
OI
TI
S
N
A
R
T
COLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE[V]
Fig.6 Ground Emitter Propagation
Characteristics
Fig.1 Typical Output Characteristics
IC
[A]
:
T
N
E
R
U
C
R
O
T
C
E
L
O
C
Fig.2 DC Current Gain vs.
Collector Current (
Ι )
COLLECTOR CURRENT : IC[mA]
Fig3. DC Current Gain vs.
Collector Current (
ΙΙ )
Fig.4 Collector-Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current (
Ι )
Fig.5 Collector-Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current (
ΙΙ )
Fig.8 Gain Bandwidth Product vs.
Emitter Current
Fig.9 Safe Operating Area
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE[V]
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE[V]
IC
:
T
N
E
R
U
C
R
O
T
C
E
L
O
C
[A
]
1
10
100
1000
10000
0
0.5
1
1.5
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
100
1000
1
10000
1000
100
10
1
10000
1000
100
10
1
10000
1000
100
10
1
10000
1000
100
10
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0
0.5
1
1.5
2
10
100
1000
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
Cob
Cib
2.5mA
2.0mA
1.5mA
1.0mA
0.5mA
3.0mA
4mA
5mA
Ta=25°C
COLLECTOR CURRENT : IC[mA]
Ta=125°C
75°C
25°C
-40°C
Ta=25°C
f=1MHz
IE=0A
IC=0A
IC/IB=20
Ta=125°C
75°C
25°C
-40°C
Ta=25°C
IC/IB=50
20
10
VCE = 2V
Ta=125°C
75°C
25°C
-40°C
VCE = 5V
2V
100ms
10ms
1ms
Ta=25°C
VCE=10V
Single pulse
Ta=25°C
DC Ta=25°C
(Mounted on a
recommended land)
DC Ta=25°C
(Mounted on a ceramic board)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SCR533DTL 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SCR554PT100 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD0601AQ 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SD0602S 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SD0661AT 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SCR512RTL 功能描述:TRANS NPN 30V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 35mA，700mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:320MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應(yīng)商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1
2SCR513P 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (50V / 1A)
2SCR513P_09 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (50V / 1A)
2SCR513P5T100 功能描述:NPN 50V 1A MEDIUM POWER TRANSIST 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:360MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標準包裝:1
2SCR513PFRAT100 功能描述:NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:360MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標準包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*