參數(shù)資料
型號： 2SCR512PT100
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MPT3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 237K
代理商： 2SCR512PT100
1/4
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.12 - Rev.A
Midium Power Transistors (30V / 2A)
2SCR512P
Structure
Dimensions
(Unit : mm)
NPN Silicon epitaxial planar transistor
Features
1) Low saturation voltage, typically
VCE (sat) = 0.4V (Max.) (IC / IB= 700mA / 35mA)
2) High speed switching
Applications
Driver
Inner circuit
(Unit : mm)
Package
Taping
Code
T100
Basic ordering unit (pieces)
1000
2SCR512P
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
C)
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
VCBO
30
V
Collector-emitter voltage
VCEO
30
V
Emitter-base voltage
VEBO
6V
DC
IC
2A
Pulsed
ICP
4A
PD
0.5
W
PD
2W
Junction temperature
Tj
150
C
Range of storage temperature
Tstg
-55 to 150
C
*1 Pw=10ms, Single Pulse
*2 Each terminal mounted on a recommended land.
*3 Mounted on a ceramic board. (40x40x0.7mm)
Packaging specifications
Type
Parameter
Collector current
Power dissipation
*1
*2
*3
Abbreviated symbol : NB
(1)
(2)
(3)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
(1)
(3)
(2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SCR533DTL 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SD0602S 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SD0661AT 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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