參數(shù)資料
型號(hào): 2SC6042
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: 1000 mA, 375 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: LEAD FREE, 2-7D101A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 191K
代理商: 2SC6042
Data Sheet D16156EJ2V0DS
5
2SD2403
[MEMO]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC6052 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6054J 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6060 1 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC6062 5000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6072 2 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC6042,T2HOSH1Q(J 功能描述:TRANS NPN 1A 375V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):375V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 100mA,800mA 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC6042,T2WNLQ(J 功能描述:TRANS NPN 1A 375V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):375V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 100mA,800mA 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC6043 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC6043AE 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述:
2SC6043-AE 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2