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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5991 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PCP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 36K |
| 代理商： | 2SC5991 |
2SC5991
No.8071-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=10V, IC=500mA
330
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
28
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=3.5A, IB=175mA
105
160
mV
IC=2A, IB=40mA
90
135
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=2A, IB=40mA
0.81
1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=10A, IE=0
100
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=100A, RBE=0
100
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, RBE=∞
50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=10A, IC=0
6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
30
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
420
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
25
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
2163A
VR
RB
VCC=25V
IC=20IB1= --20IB2=2.5A
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
470
F
100
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
7
5
6
4
2
3
1
0
7
5
6
4
2
3
1
0
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
IT08237
10mA
15mA
50mA
20mA
40mA
60mA
80mA
100mA
IB=0
5mA
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
VCE=2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
IT08238
30mA
2.5
4.0
1.0
1.5
0.5
0.4
3.0
0.75
4.5
1.6
0.4
12
3
1.5
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : PCP
type B
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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