參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5966
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 20 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3PMLH, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
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代理商： 2SC5966
2SC5966
No.7653-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=1A
15
hFE2VCE=5V, IC=15A
4
7
Collectoe-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=13.5A, IB=3.4A
3
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=13.5A, IB=3.4A
1.5
V
Storage Time
tstg
IC=10A, IB1=1.6A, IB2=--5.0A
3.0
s
Fall Time
tf
IC=10A, IB1=1.6A, IB2=--5.0A
0.2
s
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=200V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL=20
100
F
470
F
PW=20
s
D.C.
≤1%
IB1
IB2
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IT06357
16
14
12
10
8
6
4
2
0
010
9
8
7
6
5
4
3
2
1
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IT06356
VCE(sat) -- IC
IC -- VBE
Collector Current, IC -- A
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
25
20
15
10
5
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
IB=0
0.1A
0.2A
0.4A
0.6A
1.2A 1.4A 1.6A 1.8A
2.0A
0.8A
1.0A
VCE=5V
T
a=120
°C
--40
°C
25
°C
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
IT06359
IT06358
100
5
7
3
2
3
2
10
1.0
7
5
0.1
3
25
7
3
25
7
2
3
1.0
10
0.1
3
25
7
3
25
7
2
3
1.0
10
VCE=5V
Ta=120°C
25°C
--40°C
2
3
5
7
1.0
0.1
2
3
5
7
0.01
2
3
5
7
10
T
a=120
°C
Ta= --40
°C
25
°C
120
°C
IC / IB=5
--40°C
25°C
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PDF描述
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2SC5991 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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2SC5984TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH VOLT 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5990-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:mom 50V 4A 250 to 400 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 4A SOT89
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