參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5951
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126ML, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 29K
代理商： 2SC5951
2SC5951
No.7667-3/4
0
40
80
120
160
20
60
100
140
0.1
0.01
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
10
7
5
3
2
100
10
23
5
7
23
5
7
1000
1.0
7
5
3
2
10
7
5
3
2
100
7
5
3
2
1000
0.001
2
0.01
7
5
3
0.1
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3
2
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
Collector
Dissipation,
P
C
--
W
Ambient Temperature, Ta --
°C
0
2.0
1.6
1.5
1.2
0.8
0.4
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
PC -- Ta
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Reverse Bias A S O
No
heat
sink
IT06221
IT06220
Tc=25
°C
IB2= --0.3A
L=500
H, Single pulse
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Forward Bias A S O
IT06219
10ms
Tc=25
°C
Single pulse
1ms
DC
operation
P
C =10W
300
s
P
T =100
s
ICP=3A
IC=1.5A
Collector
Dissipation,
P
C
--
W
Case Temperature, Tc --
°C
PC -- Tc
0
12
8
4
10
6
2
0
40
80
120
160
20
60
100
140
IT06222
1.0
0.1
23
5
7
Collector Current, IC -- A
IT06218
SW Time -- IC
tstg
tf
IC / IB1=5
IB2 / IB1=2
R load
IT06217
0.01
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
1.0
3
2
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
IC / IB=5
Ta= --40°C
120°C
25°C
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
s
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5966 20 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5967 20 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5991 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5991 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC6013 6000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2SC59540Q 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 3A TO-220D RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SC5964-S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5964-S-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5964-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5964-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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