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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5951 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | TO-126ML, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 29K |
| 代理商： | 2SC5951 |
2SC5951
No.7667-2/4
1.2
2.0
1.6
0.8
0.4
0
02
6
48
13
7
59
10
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
IT06213
IB=0
10mA
20mA
50mA
100mA
150mA
200mA
250mA
300mA
350mA
500mA
1.0
1.8
1.4
0.6
0.2
IT06214
1.5
2.0
1.0
0.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.4
1.2
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltag, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
VCE=5V
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
IT06215
23
5 7
0.001
0.01
23
5 7 0.1
23
5 7 1.0
23
VCE=5V
1.0
10
7
5
3
2
100
7
5
3
2
3
2
23
5
7
0.01
0.1
23
5
7 1.0
23
5
7 10
0.1
0.01
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
10
7
5
3
2
Ta=120°C
25°C
--40°C
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
IT06216
IC / IB=5
T
a=120
°C
Ta=25
°C
25
°C
--40
°C
--40
°C
120
°C
400mA
450mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
hFE1VCE=5V, IC=0.1A
20
50
DC Current Gain
hFE2VCE=5V, IC=0.7A
10
hFE3VCE=5V, IC=1mA
10
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=10V, IC=0.1A
20
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
10
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=0.7A, IB=0.14A
0.8
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=0.7A, IB=0.14A
1.5
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=1mA, IE=0
700
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=5mA, RBE=∞
400
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=1mA, IC=0
8
V
Turn-On Time
ton
IC=1A, IB1=0.2A, IB2=--0.4A,RL=200, VCC=200V
0.5
s
Storage Time
tstg
IC=1A, IB1=0.2A, IB2=--0.4A,RL=200, VCC=200V
2.5
s
Fall Time
tf
IC=1A, IB1=0.2A, IB2=--0.4A,RL=200, VCC=200V
0.25
s
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=200V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
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| 2SC5964-S-TD-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5964-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5964-TD-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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