- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄49962 > 2SC5926Q (PANASONIC CORP) 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5926Q |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MT-4-A1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 209K |
| 代理商： | 2SC5926Q |
Power Transistors
1
Publication date: November 2004
SJD00326AED
2SC5926
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power amplification
■ Features
High forward current transfer ratio h
FE which has satisfactory linearity.
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
Allowing supply with the radial taping
■ Absolute Maximum Ratings T
C
= 25°C
■ Electrical Characteristics T
C
= 25°C ± 3°C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC = 10 mA, IB = 0
60
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB = 80 V, IE = 0
100
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
ICEO
VCE
= 40 V, I
B
= 0
100
A
Emitter-base cutoff current (Collector open)
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
100
A
Forward current transfer ratio *
1
hFE1 *
2
VCE = 4 V, IC = 0.5 A
500
2 300
hFE2
VCE
= 4 V, I
C
= 3 A
100
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 1 A, IB = 20 mA
0.7
V
Turn-on time
ton
IC = 1 A, Resistance loaded
0.2
s
Storage time
tstg
IB1
= 0.1 A, I
B2
= 0.1 A
1.5
s
Fall time
tf
VCC = 50 V
0.1
s
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
80
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
60
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
6V
Collector current
IC
3A
Peak collector current
ICP
6A
Collector power dissipation
PC
15
W
Ta = 25°C
2.0
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *1: Pulse measurement
*2: Rank classification
Rank
Q
P
hFE1
500 to 1 500
1 300 to 2 300
10.0±0.2
0.65±0.1
0.35±0.1
2.5±0.2
123
0.65±0.1
1.2±0.1
1.48±0.2
2.25±0.2
C 1.0
0.55±0.1
2.5±0.2
1.05±0.1
13.0
±
0.2
4.2
±
0.2
18.0
±
0.5
Solder
Dip
5.0±0.1
2.5
±
0.1
90
1.0
±0.2
1: Base
2: Collector
3: Emitter
MT-4-A1 Package
Note) *: Non-repetitive peak collector current
Internal Connection
B
C
E
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5948 | 12 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5951 | 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SC5966 | 20 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5967 | 20 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5991 | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5930(T2MITUM,FM | 功能描述:TRANS NPN 1A 600V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 75mA，600mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SC5930(TPF2,F,M) | 功能描述:TRANS NPN 1A 600V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 75mA，600mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SC5931-RL | 制造商:JVC Worldwide 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC5936 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:PANASONIC TRANSISTOR |
| 2SC593900L | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。