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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5948 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 12 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-16C1A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | 2SC5948 |
2SC5948
2006-11-16
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC5948
Power Amplifier Applications
Complementary to 2SA2120
Recommended for audio frequency amplifier output stage.
Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
200
V
Collector-emitter voltage
VCEO
200
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
12
A
Base current
IB
1.2
A
Collector power dissipation
PC
200
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55~150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the
absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and
individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-16C1A
Weight: 4.7 g (typ.)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5951 | 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SC5966 | 20 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5967 | 20 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5991 | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5991 | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5948-O(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5948-R(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5949-O(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5949-R(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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