參數(shù)資料
型號： 2SC5912
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion mesa type
中文描述： 10 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-94, TOP-3E-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 78K
代理商： 2SC5912
2SC5912
2
SJD00308AED
P
C
T
a
Safe operation area
Safe operation area (Horizontal operation)
80
60
40
20
10
30
50
70
00
50
25
75
125
100
150
Ambient temperature T
a
(
°
C)
C
C
(1)
(3)
(2)
(1)T
=
T
(2)With a 100
×
100
×
2 mm
Al heat sink
(3)Without heat sink
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
10
1
10
2
10
3
10
1
100
1
10
100
1 000
I
CP
I
C
D
C
t
=
100
μ
s
t
1 ms
t
=
10 ms
Non repetitive pulse
T
C
=
25
°
C
20
15
10
5
00
1
000
500
1
500
2
000
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
< 1 mA
A
B
C
fH
15.75 kHz, T
C
<
90
°
C
A.S.O for a single
pulse load caused by
EHT flash over during
horizontal operation.
One action of the device must
not use in all areas.
(area A, B and C)
But it is able to use in two areas.
(area A and B or area B and C)
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