參數資料
型號： 2SC5827
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF wide band amplifier
中文描述： npn型硅外延甚高頻/超高頻寬帶放大器
文件頁數： 2/10頁
文件大小： 92K
代理商： 2SC5827
2SC5827
Rev.0, Nov. 2001, page 2 of 10
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pc
15
V
Collector to emitter voltage
5.5
V
Emitter to base voltage
1.5
V
Collector current
80
mA
Collector power dissipation
80
mW
°
C
°
C
Junction temperature
Tj
150
55 to +150
Storage temperature
Tstg
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
15
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
C
ob
f
T
PG
100
120
0.1
μ
A
μ
A
μ
A
pF
V
CB
= 15 V, I
E
= 0
V
CE
= 5.5 V, R
BE
= Infinite
V
EB
= 1.5 V, I
C
= 0
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA
V
CB
= 1 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA
V
= 1 V, I
C
= 5 mA,
f = 900 MHz
Collector cutoff current
1
Emitter cutoff current
0.1
DC current transfer ratio
150
Collector output capacitance
0.85
1.15
Gain bandwidth product
1.5
4.5
GHz
Power gain
10.5
13.5
dB
Noise figure
NF
1.1
1.8
dB
V
= 1 V, I
C
= 5 mA,
f = 900 MHz
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PDF描述
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