參數(shù)資料
型號： 2SC5812WG-TR-E
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MODIFIED SC-89, MFPAK-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 123K
代理商： 2SC5812WG-TR-E
Rev.1.00 Aug 10, 2005 page 1 of 8
2SC5812
Silicon NPN Epitaxial
VHF/UHF wide band amplifier
REJ03G0757-0100
(Previous ADE-208-1468)
Rev.1.00
Aug.10.2005
Application
High power gain, Low noise figure at low power operation:
|S21|
2 = 17 dB typ, NF = 1.0 dB typ (V
CE = 1 V, IC = 5 mA, f = 900 MHz)
Outline
1. Emitter
2. Base
3. Collector
1
3
2
RENESAS Package code: PUSF0003ZA-A
(Package name: MFPAK R )
Note: Marking is “WG–“.
*MFPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
15
V
Collector to emitter voltage
VCEO
4
V
Emitter to base voltage
VEBO
1.5
V
Collector current
IC
50
mA
Collector power dissipation
PC
80
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5832 2000 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5843-FB L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5843-T3FB-A L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5843-FB-A L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5849WY-TR-E UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2SC581300L 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 1.5A MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5819(TE12L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 1.5A SC-62
2SC582 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC5823-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:NPN 400V 1.5A 20 to 50 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SC5824T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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