參數(shù)資料
型號： 2SC5843-FB
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MINIMOLD, M16, 1208, 6 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： 2SC5843-FB
DATA SHEET
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NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR
2SC5843
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PACKAGE)
Document No. PU10353EJ02V0DS (2nd edition)
Date Published September 2003 CP(K)
Printed in Japan
NEC Compound Semiconductor Devices 2003
The mark
shows major revised points.
FEATURES
Ideal for low noise, high-gain amplification
NF = 0.9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
Maximum stable power gain: MSG = 20.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
SiGe technology (fT = 60 GHz, fmax = 60 GHz)
6-pin lead-less minimold (M16, 1208 package)
ORDERING INFORMATION
Part Number
Quantity
Supplying Form
2SC5843
50 pcs (Non reel)
8 mm wide embossed taping
2SC5843-T3
10 kpcs/reel
Pin 1 (Collector), Pin 6 (Emitter) face the perforation side of the tape
Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.
The unit sample quantity is 50 pcs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25
°C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
VCBO
8.0
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
2.3
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
1.2
V
Collector Current
IC
35
mA
Total Power Dissipation
Ptot
Note
80
mW
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
65 to +150
°C
Note Mounted on 1.08 cm
2
× 1.0 mm (t) glass epoxy PCB
相關PDF資料
PDF描述
2SC5843-T3FB-A L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5843-FB-A L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5849WY-TR-E UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5850LBTL-E 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5850 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SC584500L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC584600L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5846G0L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC584800A 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA 1006 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5855 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTOR 2- 1700V 10A 50W BCE
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