參數(shù)資料
型號： 2SC5801-FB
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEADLESS, MINMOLD PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 20/25頁
文件大?。?/td> 237K
代理商： 2SC5801-FB
Data Sheet PU10085EJ02V0DS
2
2SC5801
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0 mA
–
600
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB = 1 V, IC = 0 mA
–
600
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 1 V, IC = 5 mA
100
120
145
–
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product (1)
fT
VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
3.0
4.5
–
GHz
Gain Bandwidth Product (2)
fT
VCE = 1 V, IC = 15 mA, f = 2 GHz
5.0
6.5
–
GHz
Insertion Power Gain (1)
S21e2 VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
3.0
4.0
–
dB
Insertion Power Gain (2)
S21e2 VCE = 1 V, IC = 15 mA, f = 2 GHz
4.5
5.5
–
dB
Noise Figure
NF
VCE = 1 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz,
ZS = Zopt
–1.9
2.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 0.5 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
–
0.6
0.8
pF
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance when the emitter grounded
hFE CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
E7
hFE Value
100 to 145
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PDF描述
2SC5801-T3FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5820WU-TL-E L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SC5876T106R 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5876T106Q 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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