參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5707TP-FA
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 37K
代理商: 2SC5707TP-FA
2SA2040/2SC5707
No.6913-3/5
7
6
5
4
3
2
1
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
IC -- VBE
2SC5707
VCE=2V
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SA2040
VCE= --2V
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.4
--1.0
--1.2
IC -- VBE
0
IC -- VCE
IB=0
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
IC -- VCE
--10mA
--20mA
--30mA
--40mA
--50mA
--60mA
--70mA
--80mA
--90mA
--100mA
10mA
20mA
30mA
40mA
50mA
60mA
70mA
80mA
90mA
100mA
IB=0
IT00206
IT00208
IT00207
IT00209
2SC5707
2SA2040
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
--1000
--100
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--1.0
--10
--0.01
--0.1
23
5 7
2
3
5
7
2
3
5
7
--1.0
--10
VCE(sat) -- IC
Ta=75
°C
25°
C
--25
°C
IT00212
2SA2040
IC / IB=20
1000
100
2
3
5
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10
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0.01
0.1
23
5
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23
5
7
23
5
7
1.0
10
VCE(sat) -- IC
Ta=75
°C
25
°C
--25°
C
IT00214
2SC5707
IC / IB=20
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
10
--0.01
3
25
--10
--0.1
73
25
7
3
25
7
--1.0
hFE -- IC
2SA2040
VCE= --2V
IT00210
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
10
0.01
3
25
10
0.1
73
25
7
3
25
7
1.0
hFE -- IC
Ta=75
°C
--25
°C
25
°C
2SC5707
VCE=2V
IT00211
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5707TP 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2040TP 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5716 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5720 SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5730KT146R 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SC5720(TPE4,F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape
2SC57250SL 功能描述:TRAN NPN HF 15VCEO 2.0A MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5729T106Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5729T106R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2