參數(shù)資料
型號： 2SC5707TP-FA
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 37K
代理商： 2SC5707TP-FA
2SA2040/2SC5707
No.6913-2/5
+
50
INPUT
OUTPUT
VR
RB
RL
VCC=25V
100
F
470
F
VBE= --5V
PW=20
s
IB1
IB2
D.C.
≤1%
20IB1= --20IB2= IC=2.5A
For PNP, the polarity is reversed.
Specifications
Note*( ) : 2SA2040
Absolute Maximum Ratings at Ta=25
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector-to-Base Voltage
VCBO
(--50)80
V
Collector-to-Emitter Voltage
VCES
(--50)80
V
Collector-to-Emitter Voltage
VCEO
(--)50
V
Emitter-to-Base Voltage
VEBO
(--)6
V
Collector Current
IC
(--)8
A
Collector Current (Pulse)
ICP
(--)11
A
Base Current
IB
(--)2
A
Collector Dissipation
PC
1.0
W
Tc=25
°C15
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
55 to +150
°C
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)40V, IE=0
(--)0.1
A
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0
(--)0.1
A
DC Current Gain
hFE
VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
200
560
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
(290)330
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(50)28
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)3.5A, IB=(--)175mA
(--230)160 (--390)240
mV
IC=(--)2A, IB=(--)40mA
(--240)110 (--400)170
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)2A, IB=(--)40mA
(--)0.83
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0
(--50)80
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=(--)100A, RBE=∞
80
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0
(--)6
V
Turn-On Time
ton
See specified test circuit.
(40)30
ns
Storage Time
tstg
See specified test circuit.
(225)420
ns
Fall Time
tf
See specified test circuit.
25
ns
Swicthing Time Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5707TP 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2040TP 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5716 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5720 SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5730KT146R 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SC5720(TPE4,F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape
2SC57250SL 功能描述:TRAN NPN HF 15VCEO 2.0A MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5729T106Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5729T106R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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