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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5704-FB |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 |
| 文件頁數(shù)： | 12/24頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SC5704-FB |
Data Sheet P15364EJ1V0DS
2
2SC5704
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0 mA
–
200
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VBE = 1 V, IC = 0 mA
–
200
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 2 V, IC = 5 mA
50
70
100
–
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 3 V, IC = 30 mA, f = 2 GHz
20.0
25.0
–
GHz
Insertion Power Gain
S21e2 VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
14.0
17.0
–
dB
Noise Figure
NF
VCE = 2 , IC = 5 mA, f = 2 Hz,
ZS = Zopt
–1.1
1.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 2 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
–
0.14
0.24
pF
Maximum Available Power Gain
MAG
Note 3
VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
19.0
dB
Maximum Stable Power Gain
MSG
Note 4
VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
20.0
dB
Gain 1 dB Compression Output Power
PO (1 dB)
VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
11.0
dBm
3rd Order Intermodulation Distortion
Output Intercept Point
OIP3
VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
22.0
dBm
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance measured using capacitance meter (self-balancing bridge method) when
the emitter is connected to the guard pin
3. MAG =
4. MSG =
hFE CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
zC
hFE Value
50 to 100
(k –
√√√√ (k2 – 1) )
S21
S12
S21
S12
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