- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄41505 > 2SC5736-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5736-FB |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | THIN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 125K |
| 代理商： | 2SC5736-FB |
當前第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
DATA SHEET
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. P15437EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published April 2001 NS CP(K)
Printed in Japan
2001
NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5736
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR
HIGH-FREQUENCY LOW NOISE
FLAT-LEAD 3-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
FEATURES
Low voltage operation, low phase distortion
Ideal for OSC applications
Flat-lead 3-pin thin-type ultra super minimold package
ORDERING INFORMATION
Part Number
Quantity
Supplying Form
2SC5736
50 pcs (Non reel)
8 mm wide embossed taping
2SC5736-T1
3 kpcs/reel
Pin 3 (collector) face the perforation side of the tape
Remark To order evaluation samples, consult your NEC sales representative.
Unit sample quantity is 50 pcs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
VCBO
15
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
5V
Emitter to Base Voltage
VEBO
3V
Collector Current
IC
100
mA
Total Power Dissipation
Ptot
Note
200
mW
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
65 to +150
°C
Note Mounted on 1.08 cm
2
× 1.0 mm (t) glass epoxy substrate
Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5736-T1FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5736-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5736-T1FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5737-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5737-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC57390P | 功能描述:TRANS NPN PWR AMP 60V 3A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5748(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 900V 16A 3-Pin TO-3P(LH) |
| 2SC5750-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:- 標準包裝:1 |
| 2SC5750-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標準包裝:3,000 |
| 2SC5750-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。