參數(shù)資料
型號： 2SC5699
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3PMLH, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 28K
代理商： 2SC5699
2SC5699
No.6665-3/4
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tstg
tf
IT02580
IT02581
IT02573
IT02574
IT02500
IT02575
tstg
tf
VCC=200V
IC=3A
IB1=0.6A
R load
ICP=16A
IC=8A
Tc=25
°C
Single pulse
P
T =100
s
P
C =65W
300
s
1ms
10ms
DC
operation
L=500
H
IB2= --1A
Tc=25
°C
Single pulse
Reverse Bias A S O
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Forward Bias A S O
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
SW Time -- IC
Collector Current, IC -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
s
SW Time -- IB2
Base Current, IB2 -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
s
PC -- Ta
Ambient Temperature, Ta --
°C
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
PC -- Tc
Case Temperature, Tc --
°C
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
No
heat
sink
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5703 4000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5704FB S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5704-T3 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5704 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5704-T3FB S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SC5706-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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