參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5699
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: 8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TO-3PMLH, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大小: 28K
代理商: 2SC5699
2SC5699
No.6665-2/4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.4
1.2
1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
0.1
23
5
7
1.0
23
5
7
10
0.1
2
3
5
7
3
5
7
1.0
2
3
5
1.0
0.1
23
5
7
23
5
7
10
0
2
4
6
8
1
3
5
7
9
IT02577
IT02578
IT02579
Ta=120
°C
25
°C
--40°C
Ta= --40°C
120°C
25
°C
VCE=5V
IC / IB=5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0123456789
10
IT02576
IB=0
0.2A
0.05A
0.4A
0.6A
0.8A
1.0A
1.2A
1.4A
1.6A
2.0A
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
VCE=5V
1.8A
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=1A
5
hFE2VCE=5V, IC=5A
4
7
Storage Time
tstg
IC=3A, IB1=0.6A, IB2=--1.2A
3.0
s
Fall Time
tf
IC=3A, IB1=0.6A, IB2=--1.2A
0.2
s
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=200V
VBE= --2V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL=66.7
100
F
470
F
PW=20
s
D.C.
≤1%
IB1
IB2
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PDF描述
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