參數(shù)資料
型號： 2SC563N
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications(低頻通用放大器應用的NPN硅外延平面型晶體管)
中文描述： 瑞展硅晶體管低頻通用放大器應用（低頻通用放大器應用的npn型硅外延平面型晶體管）
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： 2SC563N
2SA608N/2SC536N
No.6324–3/4
A S O
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE– V
10
100
2
5
3
7
2
5
3
7
5
7
IT00511
ICP
IC
100ms
DC opeaion
500
0
400
600
300
200
100
20
0
60
40
80
100
140
120
160
PC -- Ta
IT00510
--1.0
--0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
--0.01
--1.0
--10
2
3
5
7
2
3
5 7
2
3
5
IT00506
7
--100
--1000
VCE(sat) -- IC
2SA608N
IC / IB=--10
1.0
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
0.01
1.0
10
2
3
5
7
2
3
5 7
2
3
5
IT00507
7
100
1000
VCE(sat) -- IC
2SC536N
IC / IB=10
Cob -- VCB
0.1
10
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
100
--0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--100
IT00504
2SA608N
f=1MHz
Cob -- VCB
0.1
10
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
100
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
100
IT00505
2SC536N
f=1MHz
fT -- IC
7
3
100
2
5
7
3
2
5
10
1000
--1.0
2
5
7
3
2
5
7
3
2
5
7
3
--1000
IT00502
2SA608N
VCE=--6V
fT -- IC
7
3
100
2
5
7
3
2
5
10
1000
1.0
2
5
7
3
2
5
7
3
2
5
7
3
1000
IT00503
2SC536N
VCE=6V
2SA608N / 2SC536N
For PNP, the polarity is reversed.
2SA608N / 2SC536N
Collector Current, IC– mA
Collector Current, IC– mA
O
Collector-to-Base Voltage, VCB-- V
O
Collector-to-Base Voltage, VCB-- V
C
C
C
Ambient Temperature, Ta – C
Collector Current, IC– mA
C
S
Collector Current, IC– mA
C
S
相關PDF資料
PDF描述
2SC5370 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(Emergency Lighting Inverter and General Purpose)
2SC5390 Silicon NPN Epitaxial High Frequency Amplifier
2SC5408 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
2SC5408-T1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
2SC5409 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5646A-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 30MA 4V FT=10G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC565400L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5654G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5658 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:150 MA, 50 V, NPN, SI, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VMT3, 3 PIN
2SC5658GT2LR 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTER 2SC5658GT2LR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*