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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC563N |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications(低頻通用放大器應用的NPN硅外延平面型晶體管) |
| 中文描述： | 瑞展硅晶體管低頻通用放大器應用（低頻通用放大器應用的npn型硅外延平面型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | 2SC563N |
2SA608N/2SC536N
No.6324–2/4
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IB=0
2SA608N
IT00496
20
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IC -- VCE
IB=0
2SC536N
IT00497
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--0.8
--1.2
--1.0
IC -- VBE
IT00498
2SA608N
VCE=--6V
2SA608N
VCE=--6V
240
200
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120
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0.4
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IC -- VBE
IT00499
T5
°
C
2
°
C
-
°
C
T7
°
C
2
°
C
-
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C
2SC536N
VCE=6V
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100
7
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3
2
7
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--0.1
3
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--100
hFE -- IC
IT00500
Ta=75
°
C
25
°
C
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°
C
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Collector Current,IC– mA
7
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3
2
5 7
3
2
5 7
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hFE -- IC
IT00501
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
2SC536N
VCE=6V
C
C
Collector-to-Emitter Voltage,VCE– V
C
Collector-to-Emitter Voltage,VCE– V
Base-to-Emitter Voltage,VBE– V
C
Base-to-Emitter Voltage,VBE– V
D
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5370 | Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(Emergency Lighting Inverter and General Purpose) |
| 2SC5390 | Silicon NPN Epitaxial High Frequency Amplifier |
| 2SC5408 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION |
| 2SC5408-T1 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION |
| 2SC5409 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5646A-TL-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 30MA 4V FT=10G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC565400L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5654G0L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5658 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:150 MA, 50 V, NPN, SI, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VMT3, 3 PIN |
| 2SC5658GT2LR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTER 2SC5658GT2LR |
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