參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5632
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述： Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 49K
代理商： 2SC5632
Transistors
2SC5632
Silicon NPN epitaxial planar type
1
Publication date: February 2003
SJC00186BED
For high-frequency amplification and switching
■
Features
High transition frequency f
T
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
100
μ
A, I
E
=
0
V
EB
=
2 V, I
C
=
0
V
CE
=
4 V, I
C
=
2 mA
h
FE2
: V
CE
=
4 V, I
C
=
100
μ
A
h
FE1
: V
CE
=
4 V, I
C
=
2 mA
I
C
=
20 mA, I
B
=
4 mA
V
CE
=
5 V, I
C
=
15 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
15
V
Emitter-base cutoff current (Collector open)
I
EBO
h
FE
h
FE
2
μ
A
Forward current transfer ratio
100
350
h
FE
ratio
*
0.6
1.5
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
0.1
V
Transition frequency
f
T
C
ob
0.6
1.1
GHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
1.0
1.6
pF
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
15
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
8
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
3
V
Collector current
50
mA
Collector power dissipation
P
C
150
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Marking Symbol: 2R
2
±
0
1.3
±
0.1
0.3
+0.1
2.0
±
0.2
1
±
0
(
1
3
2
(0.65) (0.65)
0
±
0
0
±
0
0
0
+
–
0.15
+0.10
5
10
1: Base
2: Emitter
3: Collector
EIAJ: SC-70
SMini3-G1 Package
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*:
h
FE
=
h
FE2
/ h
FE1
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2SC565400L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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