參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5554
廠(chǎng)商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial VHF / UHF wide band amplifier
中文描述： npn型硅外延甚高頻/超高頻寬帶放大器
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 49K
代理商： 2SC5554
2SC5554
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Condition :
100 to 2000 MHz (100 MHz step)
V = 1 V , I = 5mA
Condition :
100 to 2000 MHz (100 MHz step)
Condition :
100 to 2000 MHz (100 MHz step)
Condition :
100 to 2000 MHz (100 MHz step)
S11 Parameter vs. Frequency
S21 Parameter vs. Frequency
S12 Parameter vs. Frequency
S22 Parameter vs. Frequency
V = 1 V , I = 5mA
V = 1 V , I = 5mA
V = 1 V , I = 5mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5555 Silicon NPN Epitaxial VHF / UHF wide band amplifier
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參數(shù)描述
2SC555600L 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 80MA MINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SC5563(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 1.5KV 0.02A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SC5565-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:mom 30V 5A 200 to 560 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 30V 5A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SC5566-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5569-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 7A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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