參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5554
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon NPN Epitaxial VHF / UHF wide band amplifier
中文描述: npn型硅外延甚高頻/超高頻寬帶放大器
文件頁(yè)數(shù): 3/8頁(yè)
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代理商: 2SC5554
2SC5554
3
160
120
80
40
0
50
100
150
200
10
0.1
1
10
1
2
5
10
20
50
100
0
2
4
6
8
10
100
200
0
1
20
100
C
Ambient Temperature Ta (
°
C)
Maximum Collector Dissipation Curve
Collector to Base Voltage V (V)
C
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
Collector Current I (mA)
D
F
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
Collector Current I (mA)
G
T
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
2
5
50
V = 1 V
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.2
0.5
2
5
IE
f = 1MHz
V = 1 V
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PDF描述
2SC5555 Silicon NPN Epitaxial VHF / UHF wide band amplifier
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2SC5563(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 1.5KV 0.02A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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2SC5566-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5569-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 7A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2