參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5508
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： THIN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 10/16頁
文件大小： 106K
代理商： 2SC5508
Preliminary Data Sheet P13865EJ1V0DS00
3
2SC5508
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25 °C)
Thermal/DC Characteristics
Collector Current vs. Collector to Emitter Voltage
DC Current Gain vs. Collector Current
0.001
200
100
10
01
2
3
4
5
1
0.01
0.1
1
10
100
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector Current IC (mA)
Collector
Current
I
C
(mA)
DC
Current
Gain
h
FE
Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature, Case Temperature
Collector Current vs. DC Base Voltage
50
40
30
20
10
250
200
150
100
50
0
50
40
30
20
10
0
Ambient Temperature TA (
°C), Case Temperature TC (°C)
DC Base Voltage VBE (V)
Total
Power
Dissipation
P
T
(mW)
Collector
Current
I
C
(mA)
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
PT-TA: Free air
PT-TA: Mounted on ceramic board
(15 mm
× 15 mm, t = 0.6 mm)
PT-TC: When case temperature
is specified
VCE = 2 V
700 A
750 A
VCE = 2 V
650 A
600 A
550 A
500 A
450 A
400 A
350 A
300 A
250 A
200 A
150 A
100 A
IB = 50 A
Capacitance/fT Characteristics
Reverse Transfer Capacitance vs. Collector to Base Voltage
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Collector to Base Voltage VCB (V)
Reverse
Transfer
Capacitance
C
re
(pF)
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
f = 1 MHz
1
30
25
20
15
10
5
0
10
100
Gain Bandwidth Product vs. Collector Current
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
VCE = 3 V
f = 2 GHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC5508-T2-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF Transistor, NPN,3.3V,35mA,S-MiniMold4 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
2SC5508-T2-A(FB) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN
2SC5509-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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