參數(shù)資料
型號： 2SC5507
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
中文描述： NPN硅射頻晶體管，低噪聲，高增益放大平引腳4引腳薄型超小型，低電流模
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： 2SC5507
Preliminary Data Sheet P13864EJ1V0DS00
3
2SC5507
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25 °C)
Thermal/DC Characteristics
Collector Current vs. Collector to Emitter Voltage
DC Current Gain vs. Collector Current
0.001
200
100
10
25
20
15
10
5
0
1
2
3
4
5
1
0.01
0.1
1
10
100
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector Current I
C
(mA)
C
C
D
F
Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature, Case Temperature
Collector Current vs. DC Base Voltage
50
40
30
20
10
250
200
150
100
50
0
Ambient Temperature T
A
(
°
C), Case Temperature T
C
(
°
C)
DC Base Voltage V
BE
(V)
T
T
C
C
P
T
-T
A
: Free air
P
T
-T
A
:
Mounted on ceramic board
(15 mm
×
15 mm, t = 0.6 mm)
P
T
-T
C
:
When case temperature
is specified
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
380 A
= 20 A
I
B
μ
μ
μ
μ
μ
μ
μ
μ
μ
μ
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
Capacitance/f
T
Characteristics
1
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
30
25
20
15
10
5
0
10
100
Gain Bandwidth Product vs. Collector Current
Reverse Transfer Capacitance vs. Collector to Base Voltage
R
r
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
G
T
Collector Current I
C
(mA)
f = 1 MHz
V
= 3 V
f = 2 GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5507-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
2SC5507(NE661M04) Discrete
2SC5508 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
2SC5508-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
2SC5509 NPN SILICON RF TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SC5508-T2-A(FB) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN
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