參數(shù)資料
型號： 2SC5507-T2FB
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： THIN, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： 2SC5507-T2FB
Data Sheet PU10522EJ01V0DS
3
2SC5507
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°C, unless otherwise specified)
Thermal/DC Characteristics
0.001
200
100
10
25
20
15
10
5
01
2
3
4
5
1
0.01
0.1
1
10
100
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector Current IC (mA)
Collector
Current
I
C
(mA)
DC
Current
Gain
h
FE
15
10
5
250
200
150
100
50
0
Total
Power
Dissipation
P
tot
(mW)
Collector
Current
I
C
(mA)
Ptot-TA: Free air
Ptot-TA: Mounted on ceramic board
(15 mm
× 15 mm, t = 0.6 mm)
Ptot-TC: When case temperature
is specified
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VCE = 2 V
IB =
A
20
A
40
A
60
A
80
A
100
A
120
A
140
A
160
TOTAL POWER DISSIPATION vs. AMBIENT
TEMPERATURE, CASE TEMPERATURE
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
COLLECTOR CURRENT vs.
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Ambient Temperature TA (C), Case Temperature TC (C)
Base to Emitter Voltage VBE (V)
Capacitance/fT Characteristics
1
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
30
25
20
15
10
5
0
10
100
Reverse
Transfer
Capacitance
C
re
(pF)
Collector to Base Voltage VCB (V)
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
f = 1 MHz
VCE = 3 V
f = 2 GHz
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
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PDF描述
2SC5507-T2FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5509-T2FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5509-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5509 X BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5511E 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SC5508-T2-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF Transistor, NPN,3.3V,35mA,S-MiniMold4 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
2SC5508-T2-A(FB) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN
2SC5509-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標準包裝:1
2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標準包裝:1
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