參數資料
型號: 2SC5507-T2FB
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: THIN, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN
文件頁數: 3/10頁
文件大?。?/td> 76K
代理商: 2SC5507-T2FB
Data Sheet PU10522EJ01V0DS
2
2SC5507
THERMAL RESISTANCE
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction to Case Resistance
Rth j-c
240
°C/W
Junction to Ambient Resistance
Rth j-a
650
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0 mA
100
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB = 1 V, IC = 0 mA
100
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 2 V, IC = 5 mA
50
70
100
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz
20
25
GHz
Insertion Power Gain
S21e2
VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
14
17
dB
Noise Figure
NF
VCE = 2 V, IC = 2 mA, f = 2 GHz,
ZS = Zopt
1.2
1.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 2 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
0.08
0.12
pF
Maximum Stable Power Gain
MSG
Note 3
VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
22
dB
Gain 1 dB Compression Output Power
PO (1 dB)
VCE = 2 V, IC = 5 mA
Note 4, f = 2 GHz
5
dBm
3rd Order Intermodulation Distortion
Output Intercept Point
OIP3
VCE = 2 V, IC = 5 mA
Note 4, f = 2 GHz
15
dBm
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance when the emitter grounded
3. MSG =
4. Collector current when PO (1 dB) is output
hFE CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
T78
hFE Value
50 to 100
S21
S12
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PDF描述
2SC5507-T2FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5509-T2FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5509-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5509 X BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5511E 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數描述
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2SC5508-T2-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF Transistor, NPN,3.3V,35mA,S-MiniMold4 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
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2SC5509-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:- 標準包裝:1
2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:SOT-343 標準包裝:1