參數(shù)資料
型號： 2SC5469
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管)
中文描述： 硅npn型三重擴散（三倍擴散npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 40K
代理商： 2SC5469
Datasheet Title
3
Main Characteristics
0.8 A
0.6 A
0.4 A
200
150
100
50
0
50
100
150
200
100
10
0
5
10
0.1 0.2
0.5
1
2
5
20
1
5
2
10
20
50
100
C
Case Temperature Tc (°C)
Collector Power Dissipation
vs. Temperature
Collector to Emitter Voltage V (V)
CE
C
C
Typical Output Characteristics
D
F
Collector Current I (A)
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
C
Collector to Emitter Voltage V (V)
C
Area of Safe Operaion
5
I = 0
Tc = 25 °C
1
5
2
10
20
50
0.1
0.5
0.2
10
1000
5000
L = 180 μH
I = –1 A
duty < 1 %
Tc = 25°C
2.0 A
1.8 A
1.6 A
1.4 A
1.2 A
1.0 A
0.2 A
10
Tc = –25 °C
25 °C
75 °C
V = 5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC5501A-4-TR-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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