參數(shù)資料
型號： 2SC5469
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管)
中文描述： 硅npn型三重擴散（三倍擴散npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 40K
代理商： 2SC5469
Datasheet Title
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
i
c(peak)
P
C
Tj
1500
V
Collector to emitter voltage
700
V
Emitter to base voltage
6
V
Collector current
15
A
Collector peak current
30
A
Collector power dissipation
Note1
125
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at Tc = 25
°
C
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
700
—
—
V
I
C
= 10mA, R
BE
=
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
6
—
—
V
I
E
= 10mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CES
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)
—
—
500
μ
A
V
CE
= 1500V, R
BE
= 0
V
CE
= 5 V, I
C
= 1A
V
CE
= 5 V, I
C
= 8A
I
C
= 10A, I
B
= 3A
DC current transfer ratio
10
—
40
DC current transfer ratio
3.5
—
6.5
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
5
V
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
—
—
1.5
V
I
C
= 10A, I
B
= 3A
Fall time
t
f
—
0.2
0.4
μ
s
I
CP
= 7A, I
= 2.8A
f
H
= 31.5kHz
I
CP
= 7A, I
B1
= 1.8A
f
H
= 64kHz
Fall time
t
f
—
0.15
—
μ
s
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