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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC536N |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications(低頻通用放大器應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管) |
| 中文描述： | 瑞展硅晶體管低頻通用放大器應(yīng)用（低頻通用放大器應(yīng)用的npn型硅外延平面型晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | 2SC536N |
2SA608N/2SC536N
No.6324–2/4
Continued on preceding page.
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IB=0
2SA608N
IT00496
20
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30
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IC -- VCE
IB=0
2SC536N
IT00497
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--200
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--40
0
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--0.4
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--0.8
--1.2
--1.0
IC -- VBE
IT00498
2SA608N
VCE=--6V
2SA608N
VCE=--6V
240
200
160
120
80
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0.2
0.4
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0.8
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IC -- VBE
IT00499
T5
°
C
2
°
C
-
°
C
T7
°
C
2
°
C
-
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C
2SC536N
VCE=6V
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100
7
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3
2
7
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--0.1
3
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7
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--100
hFE -- IC
IT00500
Ta=75
°
C
25
°
C
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°
C
1000
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3
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1.0
Collector Current,IC– mA
7
3
2
5 7
3
2
5 7
3
2
5 7
100
hFE -- IC
IT00501
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
2SC536N
VCE=6V
C
C
Collector-to-Emitter Voltage,VCE– V
C
Collector-to-Emitter Voltage,VCE– V
Base-to-Emitter Voltage,VBE– V
C
Base-to-Emitter Voltage,VBE– V
D
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC563N | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications(低頻通用放大器應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管) |
| 2SC5370 | Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(Emergency Lighting Inverter and General Purpose) |
| 2SC5390 | Silicon NPN Epitaxial High Frequency Amplifier |
| 2SC5408 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION |
| 2SC5408-T1 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC536NF-NPA-AT | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.15A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC536NG-NPA-AT | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.15A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC536NP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SC536NPD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SC536NPE | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
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